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Conference papers

Modélisation électrothermique compacte des modes de défaillance du Mosfet SiC en régime extrême de court-circuit. Application au développement d'une protection intégrée pour convertisseur sécurisé à tolérance de panne

Résumé : Le Mosfet SiC de puissance présente des propriétés singulières en régime de court-circuit (CC) telles qu’un courant de fuite de grille important, un fort courant de saturation et deux modes de défaut complémentaires dont l'un est sécurisant (fail-to-open) sous certaines conditions. Ce papier présente un modèle électro-thermique compact original représentatif des singularités du composant. Une analyse technologique poussée de la défaillance a permis de modéliser et de comprendre ses modes de défaut. Enfin, un nouveau circuit de protection contre les court-circuits utilisant le courant de fuite de grille comme indicateur observable est présenté et validé.
Document type :
Conference papers
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03286429
Contributor : Frédéric Richardeau <>
Submitted on : Wednesday, July 14, 2021 - 3:52:04 PM
Last modification on : Thursday, July 22, 2021 - 3:52:17 AM

File

SGE_2021_Mosfet_SiC_V6_RevSL_F...
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  • HAL Id : hal-03286429, version 1

Citation

François Boige, Frédéric Richardeau, Stéphane Lefebvre. Modélisation électrothermique compacte des modes de défaillance du Mosfet SiC en régime extrême de court-circuit. Application au développement d'une protection intégrée pour convertisseur sécurisé à tolérance de panne. Symposium de Génie Électrique, Jul 2021, Nantes, France. ⟨hal-03286429⟩

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